MEMS乌鲁木齐变器结构及其工作原理

MEMS乌鲁木齐变器结构及其工作原理 目前的MEMS乌鲁木齐变器有硅阻乌鲁木齐变器和硅电容乌鲁木齐变器，两者都是在硅片上生成的微机械电子乌鲁木齐变器。
    硅阻乌鲁木齐变器是采用高精密半导体电阻应变片组成惠斯顿电桥作为电变换测量电路的，具有较高的测量精度、较低的功耗和极低的成本。惠斯顿电桥的阻乌鲁木齐变器，如无变化，其输出为零，几乎不耗电。
    MEMS硅阻乌鲁木齐变器采用周边固定的圆形应杯硅薄膜内壁，采用MEMS技术直接将四个高精密半导体应变片刻制在其表面应最大处，组成惠斯顿测量电桥，作为电变换测量电路，将这个物理量直接变换成电量，其测量精度能达0.01-0.03%FS。硅阻乌鲁木齐变器上下二层是玻璃体，中间是硅片，硅片中部做成一应杯，其应硅薄膜上部有一真空腔，使之成为一个典型的绝乌鲁木齐变器。应硅薄膜与真空腔接触这一面经光刻生成电阻应变片电桥电路。当外面的经引腔进入乌鲁木齐变器应杯中，应硅薄膜会因受外作用而微微向上鼓起，发生弹性变形，四个电阻应变片因此而发生电阻变化，破坏原先的惠斯顿电桥电路平衡，电桥输出与成正比的。
　　电容乌鲁木齐变器利用MEMS技术在硅片上制造出横隔栅状，上下二根横隔栅成为一组电容乌鲁木齐变器，上横隔栅受作用向下，改变了上下二根横隔栅的间距，也就改变了板间电容量的大小，即△=△电容量。